Contacto
Leave Your Message
Semicondutores e electrónica-fs-aplicación láser

Universidades e centros de I+D

A exploración da materia a escalas micro e nano está na fronteira da ciencia moderna. Os láseres de femtosegundos, cos seus pulsos ultracurtos (10⁻¹⁵s) e a súa alta potencia máxima, permiten a "ablación en frío" sen contacto en practicamente calquera material.

Ofrecemos solucións de micro-nanofabricación flexibles e de alta precisión para universidades e centros de I+D. Tanto para estudar mecanismos de procesamento como para prototipar microdispositivos, a nosa tecnoloxía rompe limitacións e potencia a innovación interdisciplinar.

Fronteiras da Investigación

1. Interacción láser-materia
Os investigadores poden comparar os limiares de ablación entre pulsos de femtosegundos, picosegundos e nanosegundos, investigando os mecanismos de formación de buratos baixo varias densidades de enerxía para xerar datos robustos para publicacións de alto impacto.
2. Funcionalización da superficie
Os sistemas láser de femtosegundos permiten a modificación precisa das estruturas e texturas superficiais. Isto permite a creación de micro-nanotexturas en metais, vidro ou polímeros para conseguir propiedades superhidrófobas, superhidrófilas, antixeo, antirreflectantes ou de adhesión celular.
3. Prototipado rápido de microdispositivos
Supere os altos custos e a complexidade da fotolitografía. O noso proceso de escritura directa sen máscara funciona en silicio, cerámica e películas finas. Úsase amplamente para a creación rápida de prototipos e iteración de sensores MEMS, chips microfluídicos, máscaras e fotoelectrodos.

Capacidades de nivel de laboratorio

1. Microperforación ultrafina
Rompemos as limitacións tradicionais para conseguir unha relación de aspecto de ata 10:1. Cun diámetro mínimo de 3-5 μm, o noso proceso garante unha alta redondeza e consistencia. Admite buratos rectos de conicidade positiva, conicidade negativa, conicidade cero e buratos de diversas formas.
2. Corte de precisión sen danos
Para láminas fráxiles e estruturas micromecánicas, o corte por láser de femtosegundos garante bordos lisos e sen rebabas sen deformación térmica. Cunha anchura mínima de corte/nervatura de só 5 μm, é perfecto para o corte sen tensión de máscaras metálicas e compoñentes de precisión.
3. Gravado con profundidade controlada
Capaces de controlar a profundidade a nivel de micras, permitimos o gravado preciso de ranuras cegas, micro-protuberancias superficiais e a eliminación selectiva de películas. As aplicacións típicas inclúen matrices de buratos cadrados de 25 μm e patróns de eléctrodos serpentinos, ideais para a investigación en circuítos integrados (CI) e microelectrónica.

Por que asociarse con nós?

Un sistema para todo o laboratorio. Desde cerámicas duras e diamantes ata polímeros sensibles á calor e tecidos biolóxicos, os láseres de femtosegundos encárganse de todo.
Ofrecemos algo máis que equipos; apoiamos o fluxo de traballo completo, desde as probas de mostras ata a verificación do proceso, acelerando o seu camiño cara a novos descubrimentos científicos.

Exemplos de aplicación

Gravado de ranuras con codificador lineal de 10 cm

Gravado de ranuras con codificador lineal de 10 cm | Profundidade: 20 μm ± 1 μm

Corte de apertura, esquinas internas afiadas

Placa cuadrante | Material: volframio; ángulo agudo: 40°; lonxitude do ángulo agudo: 40 μm ± 2 μm

Dispositivo de clasificación celular fs-láser micromecanizado

Dispositivo de clasificación celular fs-micromecanizado láser: 119,5°

microestrutura das propiedades de adhesión celular por láser de fs

Microestrutura superficial da aliaxe de platino-iridio: profundidade de gravado: 7 μm ± 0,5 μm, ancho de gravado: 5 μm ± 0,5 μm

Corte con microelectrodos de forma complexa

Corte con microelectrodos de forma complexa: aceiro inoxidable, grosor: 0,01 mm, ancho de corte: 5 μm ± 0,5 μm

Gravado de GaN sen gretas e sen lascas

Gravado de GaN: sen gretas nin lascas

corte por rañuras láser fs -mono

corte por fendas láser fs | ancho: 5 μm

corte por rañuras láser fs

corte por fendas láser fs | ancho: 2 μm

Gravado de ranuras para codificadores lineais

Codificadores lineais Gravado de ranuras | ancho:4 μm±1 μm

Corte de estruturas micromecánicas

Corte de estruturas micromecánicas | Wolframio, ancho de corte: 6 μm ± 0,5 μm, grosor: 0,05 mm

Corte con microelectrodos perfilados (aceiro inoxidable)

Corte con microelectrodos perfilados | Aceiro inoxidable; ancho mín.: 6,5 μm

Corte en ángulo interno agudo mono

Corte en ángulo interno afiado | Anchura da punta: 6 μm

010203040506070809

De extremo a extremo Servizos

contact us

Start a Conversation

Ready to solve your precision challenges? Fill out the form below and our team will respond within 24 hours.

Contact information

Address

F1-F2, Building 4, Jianfa-Xinmei Industrial Park, No. 21 Gongtang Road, Guangming District, Shenzhen, China.

1647831b1f9f653d5ce88b0294a12170
yx-contact-bg